講解碳化硅微粉的除碳工藝

    雖然，經過近年來的發展，認識及了解碳化硅的人在不斷增多，碳化硅也憑借著多樣化的種類，多種功能及用途，被廣泛的應用于不同的領域。碳化硅微粉是眾多碳化硅中的一員，也有著一定的應用范圍。但是為了確保及提升碳化硅微粉的品質，在生產時需要進行除碳，而現在碳化硅微粉常用的除碳工藝有加熱氧化法，化學氧化法兩種，下面將針對這兩種除碳工藝進行講解。

    1、加熱氧化法，通過對碳化硅微粉進行高溫煅燒，使碳化硅微粉中的游離碳及石墨與空氣中的氧氣反應，以二氧化碳或者一氧化碳的形式脫離碳化硅，從而實現了除碳的目的。工藝條件為煅燒溫度為900℃，煅燒時間為3h，碳化硅內部的碳雜質得到了完全去除。

    2、化學氧化法，用硝酸、硫酸和高氯酸中的一種或組成混合酸使用，或者在酸中添加作無機氧化劑的高錳酸鉀和重鉻酸鉀，使碳化硅微粉中的碳雜質以氣體的形式揮發出去，從而實現了對石墨和游離碳的去除。利用化學氧化法雖然也能使碳化硅微粉中的游離碳氧化成氣體揮發掉，但氧化工藝所添加的強氧化性酸對人體及機器都會有強烈的腐蝕性，所以不利于大規模的工業化生產。

    以上就是針對碳化硅微粉兩種除碳工藝的介紹，希望能加深您對碳化硅微粉的了解。另外，歡迎廣大新老用戶與我公司聯系，我公司除了能為您解答疑惑，提供更多關于碳化硅微粉的信息，同時還能根據您的生產要求，推薦及提供不同種類，品質可靠的碳化硅微粉，期待與您洽談合作。