碳化硅微粉廠家分析碳化硅碳過量的原因

    碳化硅的種類有很多，這其中就包括碳化硅微粉。碳化硅微粉結晶細小，呈針狀。這是因為爐料中Si02較少，所以因SiO2蒸發而留下的空隙較少，sic晶體缺乏生長空間，所以比較細小，若干細小晶體沿著氣流方向成放射狀排列，就似針狀了。結晶筒內有游離炭粒。這是碳過量嚴重時的明顯特征。很容易出現炭粒的部位是結晶倚的下部和外側，因為根據氣體流動的方向，這些地方硅化劑蒸氣的濃度較低。

    其實碳化硅微粉的本質也是碳化硅，所以想要生產出高品質的碳化硅微粉，還是要從冶煉碳化硅開始。而在冶煉碳化硅時，常出現的問題就是碳過量。通過總結多年的冶煉經驗，我們分折出導致碳化硅碳過量的原因，分別是混料不均可產生局部碳過量；爐料配比碳過量。與爐料硅過量一樣，其可能的原因有：原材料取樣、化驗、算料、配料有誤，配方設計不合理；碳質原料粒度過粗，反應不完全；送電時間短或冶煉功率低，爐心過大等造成sic結晶分解層較薄，補充的硅化劑蒸氣來源比正常少。

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